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通过一系列的谱学测试发现，人忧n型半导体g-C3N4的引入使得MoB/g-C3N4界面处产生了明显的电荷再分布，增加了MoB表面的局部电子密度。华为患令上述新颖的设计有望在大规模储能器件中得到应用。
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